STUDI PENGARUH PERBEDAAN WAKTU TUMBUH TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO

ENDAH DWI CAHYANI, . (2016) STUDI PENGARUH PERBEDAAN WAKTU TUMBUH TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO. Sarjana thesis, UNIVERSITAS NEGERI JAKARTA.

	Text ABSTRAK_SKRIPSI_ENDAHDWI.pdf Download (0B)
	Text Skripsi_EndahDwi_Fisika 2012_3225120230.pdf Download (6MB)

Abstract

Lapisan tipis ZnO telah ditumbuhkan di atas substrat silikon (111) menggunakan metode ultrasonic spray pyrolysis (USP) dengan memvariasikan waktu tumbuh yaitu 10 menit, 20 menit dan 30 menit. Pengaruh waktu tumbuh terhadap lebar celah pita energi dikarakterisasi menggunakan UV-Vis spektrofotometer dengan metode diffuse reflectance. Pengaruh waktu tumbuh terhadap resistivitas dikarakterisasi menggunakan four point probe. Berdasarkan hasil karakterisasi XRD lapisan tipis ZnO memiliki struktur polikristal hexagonal wurtzite dengan preferential orientation yaitu (101). Hasil resistivitas dari ketiga lapisan tipis ZnO yaitu (0,0814 0,0825 dan 0,0813) Ωcm dan hasil lebar celah pita energi yaitu (3,20 3,22 dan 3,21) eV. Pada penelitian ini dapat disimpulkan bahwa nilai lebar celah pita energi terbesar ada pada waktu tumbuh 20 menit yaitu 3,22 eV yang dimungkinkan adanya krisnalitas yang baik pada pembentukan lapisan tipis ZnO namun hal tersebut tidak terhadap sifat listrik yang baik. Sifat listrik dan sifat optik dipengaruhi oleh cacat kristal alamiah pada struktur kristal lapisan tipis ZnO. Thin layer of ZnO has been grown on a silicon substrate (111) using ultrasonic spray pyrolysis method (USP) by varying the growing time in 10 minutes, 20 minutes and 30 minutes. Influence from time grow for energy band gap, characterized using UV-Vis spectrophotometer by diffuse reflectance method. The influence of time grow the resistivity is characterized using a four point probe. Based on the results of XRD characterization of ZnO thin film has hexagonal wurtzite polycrystalline structure with a preferential orientation (101). The results of resistivity ZnO thin film is (0,0814 0,0825 and 0,0813) Ωcm and the results of band gap energy is (3.20 3.22 and 3.21) eV. In this study, it can be concluded that the value of the band gap energy was biggest with the growing time 20 minutes is 3.22 eV which made possible their good crysnalline at forming a thin layer of ZnO but it’s not the excellent electrical properties. Electrical properties and optical properties were affected by nattive point defects in the structure of ZnO thin film.

Item Type:	Thesis (Sarjana)
Additional Information:	1) Dr. Iwan Sugihartono, M.Si 2) Dr. Anggara Budi Susila, M.Si
Subjects:	Sains > Fisika
Divisions:	FMIPA > S1 Fisika
Depositing User:	sawung yudo
Date Deposited:	21 Mar 2022 01:28
Last Modified:	21 Mar 2022 01:28
URI:	http://repository.unj.ac.id/id/eprint/24935

Actions (login required)

View Item